【朝霞】MOSFET/ウエーハプロセス及びデバイスの設計・開発

職種

製品開発／研究開発(電気・電子)

勤務地

埼玉県朝霞市幸町3丁目14番1号

年収

500万～1,000万円

仕事内容

■MOSFET/ウエーハプロセス及びデバイスの設計・開発をお任せします

Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務
（プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価）

応募条件

【必須】
・Si系パワーMOSFET、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務の５年以上のご経験
・担当テーマに対し情熱を持って取り組むことができる人
【歓迎】
・パワー半導体に関する知識
・デバイスシミュレータのスキル
・プロセスシミュレータのスキル
・TEG（マスク）設計CADのスキル
・静特性測定、動特性測定のスキル
・半導体デバイスに関する特許取得経験

休日休暇

年末年始　夏期休暇　有給休暇　完全週休2日制　年次有給休暇（半日利用可能)、育児休暇、妊娠通院休暇等

年間休日数

130日

就業時間

08:20～16:55

企業概要

【デバイス事業】一般整流ダイオード、ブリッジダイオード、高速整流ダイオード、トランジスタ、MOSFET、IGBTなど　
【エネルギーシステム事業】　EV充電器　電源製品（通信局用整流器、移動体基地局用整流器、通信用インバータ、電力集中監視システム）等
【電装事業】電装製品（二輪車用レギュレータ／レクティファイア、四輪車用DC／DCコンバータユニット等）
■事業所：朝霞事業所、大阪支店、名古屋支店、浜松営業所、宇都宮出張所

従業員数

5,215人