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ルネサスエレクトロニクス株式会社 ルネサスエレクトロニクス株式会社

SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア(53044)

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求人情報

職種
生産技術(化学)
勤務地
群馬県高崎市西横手町111番地 (高崎事業所)
年収
800万~900万円
仕事内容
【担当技術】SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア
【担当業務】SiCエピタキシャル成長装置立ち上げ、プロセス条件出し、量産化
【担当職場】自社前工程国内拠点

SiCパワーデバイスは、脱炭素社会の実現に向けて重要となる自動車のEV化や産業機器のインバータ化におけるキーデバイスの一つです。弊社は、車載/産業用パワーデバイス事業の拡大を計画しており、今回、SiCプロセス開発において中核となるSiCエピタキシャル成長プロセスのエキスパートを募集します。募集職種は、プロセスエンジニアとしてSiCエピタキシャル成長装置を用いたプロセス条件の確立や安定化、効率化を担うポジションです。また、将来、拡張していく組織において、技術開発のリーダー的役割を担っていただきます。

ルネサスは「人々の暮らしを楽(ラク)にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。 当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。 当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M&Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。
応募条件
【必須要件】
・SiCエピタキシャル成長プロセス開発の従事経験が1年以上あること
・英語:ビジネスレベル
・日本語:ビジネスレベル

【歓迎要件】
・4年制大学または大学院にて工学、化学、物理学等を修了していること
休日休暇
完全週休2日制 慶弔休暇 年末年始 夏期休暇 有給休暇 出産予定・育児休職
年間休日数
125日
就業時間
09:00~17:30

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企業情報

企業概要
≪日立製作所、三菱電機、NECの半導体部門統合により誕生した国内最大規模、世界でも有数の半導体メーカーです。≫
■「自動車」「産業・家電」「OA・ICT」の3分野に注力した取り組みを行っており、とりわけ車載マイコン分野では世界シェアNo.1を誇ります。
■組織セグメントをアプリケーションに従属させることで、お客様の要望に寄り添うマーケットイン型の体制を整えてきました。また、キット・プラットフォームソリューションの強化により、当社の提供価値を拡大しております。
■現在、同社は「機能安全」「セキュリティ」「センシング」「ローパワー」「コネクティビティ」の5点を最注力技術として強化しております。確かな基盤技術のもと、世界最先端の技術を支えるルネサスでともに働きませんか。
従業員数
20,962人

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川口裕也
(担当コンサルタント: 川口裕也)

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フリーダイヤル0120-964-228受付時間 月~金 10:00~18:00

求人ID No.0228749 ※応募・お問い合わせの際はこの番号をお伝えください