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【山梨】SiCパワーデバイス開発エンジニア(54151)

ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 勤務地

  山梨県甲斐市　（山梨工場）

• 年収

  500～1,000万円

• 職種

  生産技術(電気・電子)

リモート可

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【愛媛】SiCパワーデバイス開発エンジニア(54151)

ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 勤務地

  愛媛県西条市ひうち8-6　（西条事業所）

• 年収

  500～1,000万円

• 職種

  生産技術(電気・電子)

リモート可

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【群馬】SiCパワーデバイス開発エンジニア(54151)

ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 勤務地

  群馬県高崎市西横手町111番地 （高崎事業所）

• 年収

  500～1,000万円

• 職種

  生産技術(電気・電子)

リモート可

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【東京】SoCバックエンド設計エンジニア/リーダー（54109）

ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 勤務地

  東京都小平市上水本町5-20-1　（武蔵事業所）

• 年収

  400～1,000万円

• 職種

  回路設計

リモート可

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【東京】車載用SoC設計におけるデジタル回路設計エンジニア（54179）

ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 勤務地

  東京都小平市上水本町5-20-1　（武蔵事業所）

• 年収

  400～1,000万円

• 職種

  回路設計

リモート可

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【東京】車載MCU製品開発リーダー（54167）

ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 勤務地

  東京都小平市上水本町5-20-1　（武蔵事業所）

• 年収

  500～1,000万円

• 職種

  回路設計

リモート可

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