【朝霞】ディスクリートデバイスの開発（パワーMOSFET・IGBT）

求人情報

職種	回路設計
勤務地	埼玉県朝霞市幸町3丁目14番1号
年収	450万～950万円
仕事内容	■パワーMOSFET・IGBTの開発業務をお任せします。【具体的には】・実機動作を再現できる回路シミュレータの開発・Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETの製品開発業務（顧客との製品仕様整合、製品設計、マスク設計、試作、製品評価）・Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務（プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価） ■配属先：電子デバイス事業本部第二開発部
応募条件	【必須】 ■Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務、又は製品開発業務の実務経験（5年以上） ■回路アプリケーションの知識【スキル】・SPICE　・パワー半導体に関する知識・SiCMOSFET製品評価ほ技術　・デバイスシミュレータのスキル・プロセスシミュレータのスキル　・TEG（マスク）設計CADのスキル・静特性測定、動特性測定のスキル　・半導体デバイスに関する特許取得
休日休暇	年末年始　夏期休暇　有給休暇　完全週休2日制　年次有給休暇（半日利用可能)、育児休暇、妊娠通院休暇等
年間休日数	130日	就業時間	08:20～16:55

企業情報

企業概要

【デバイス事業】一般整流ダイオード、ブリッジダイオード、高速整流ダイオード、トランジスタ、MOSFET、IGBTなど　
【システム事業】　電源製品（通信局用整流器、移動体基地局用整流器、通信用インバータ、電力集中監視システム）等
【モジュール事業】電装製品（二輪車用レギュレータ／レクティファイア、四輪車用DC／DCコンバータユニット等）
電源製品（太陽光発電用パワーコンディショナ、LED照明用電源、DC／DCコンバータ）
■事業所：本社、飯能工場、大阪支社、名古屋支社、宇都宮出張所、分室（秋田、山形、仙台）、ソウル営業所
■市場別売上構成：電装‐50％、デバイス(半導体)‐31％、新エネルギー、その他‐3％　※売上高は2020年3月連結数字

従業員数

5,215人

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(担当コンサルタント: 外川智康)

外川智康