新電元工業株式会社

情報更新日: 2022年06月16日
求人ID No.0191466

【朝霞】ディスクリートデバイスの開発(パワーMOSFET・IGBT)

求人情報

職種 回路設計
勤務地 埼玉県朝霞市幸町3丁目14番1号
年収 450万~950万円
仕事内容 ■パワーMOSFET・IGBTの開発業務をお任せします。
【具体的には】
・実機動作を再現できる回路シミュレータの開発
・Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETの製品開発業務(顧客との製品仕様整合、製品設計、マスク設計、試作、製品評価)
・Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務(プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価)
■配属先:電子デバイス事業本部 第二開発部
応募条件 【必須】
■Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務、又は製品開発業務の実務経験(5年以上)
■回路アプリケーションの知識
【スキル】
・SPICE ・パワー半導体に関する知識
・SiCMOSFET製品評価ほ技術 ・デバイスシミュレータのスキル
・プロセスシミュレータのスキル ・TEG(マスク)設計CADのスキル
・静特性測定、動特性測定のスキル ・半導体デバイスに関する特許取得
休日休暇 年末年始 夏期休暇 有給休暇 完全週休2日制 年次有給休暇(半日利用可能)、育児休暇、妊娠通院休暇等
年間休日数 130日 就業時間 08:20~16:55

企業情報

企業概要 【デバイス事業】一般整流ダイオード、ブリッジダイオード、高速整流ダイオード、トランジスタ、MOSFET、IGBTなど 
【システム事業】 電源製品(通信局用整流器、移動体基地局用整流器、通信用インバータ、電力集中監視システム)等
【モジュール事業】電装製品(二輪車用レギュレータ/レクティファイア、四輪車用DC/DCコンバータユニット等)
電源製品(太陽光発電用パワーコンディショナ、LED照明用電源、DC/DCコンバータ)
■事業所:本社、飯能工場、大阪支社、名古屋支社、宇都宮出張所、分室(秋田、山形、仙台)、ソウル営業所
■市場別売上構成:電装‐50%、デバイス(半導体)‐31%、新エネルギー、その他‐3% ※売上高は2020年3月連結数字
従業員数 5,215人

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(担当コンサルタント: 外川 智康)

外川 智康

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